Sapayev Ibroxim Bayramdurdiyevich

FULL TITLE	LINK
Injection Photodiode Based on a pSi–nCdS–n+CdS Structure, 2014 WoS
ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СТРУКТУРЫ pSi–nCdS–n+CdS ПРИ ОБРАТНОМ НАПРЯЖЕНИИ СМЕЩЕНИЯ, 2014 SAC
УЛЬТРАЗВУКОВОЙ ОТЖИГ ПОВЕРХНОСТНЫХ СОСТОЯНИЙ В ГЕТЕРОПЕРЕХОДЕ ИНЖЕКЦИОННОГО ФОТОДИОДА pSi/nCdS/n+CdS, 2014 SAC
Electrophysical and Photoelectric Properties of Injection Photodiode Based on pSi–nCdS–In Structure and Influence of Ultrasonic Irradiation on them, 2014 WoS
ВЛИЯНИЕ УЛЬТРАЗВУКОВОГО ОБЛУЧЕНИЯ НА СВОЙСТВА ИНЖЕКЦИОННОГО ФОТОПРИЕМНИКА НА ОСНОВЕ pSi-nCdS-n+CdS — СТРУКТУРЫ И НА ПЛОТНОСТИ ПОВЕРХНОСТНЫХ СОСТОЯНИЙ pSi-nCdS — ГЕТЕРОПЕРЕХОДА, 2014 SAC
Инжекционный фотодиод на основе p-Si−n-CdS−n+-CdS-структуры, 2014 WoS